當(dāng)前DRAM（動態(tài)隨機存取存儲器）與NAND（閃存）庫存僅夠維持約4周，價格持續(xù)上漲已成定局……2026年馬年春節(jié)剛過，全球存儲巨頭SK海力士的最新發(fā)聲，讓全球存儲市場的漲價潮再度升溫。2月24日，A股存儲概念股持續(xù)走高，北京君正、太極實業(yè)、香農(nóng)芯創(chuàng)等個股漲幅均超過5%。

在AI及算力發(fā)展浪潮的驅(qū)動下，自2025年第三季度起，全球存儲市場迎來漲價行情。業(yè)內(nèi)人士普遍預(yù)計，全球存儲芯片漲價將持續(xù)2026年一整年。

在產(chǎn)業(yè)高景氣背景下，中國存儲產(chǎn)業(yè)正加速突圍，長江存儲、長鑫科技等企業(yè)在技術(shù)、產(chǎn)能上持續(xù)突破，國產(chǎn)模組廠商同步發(fā)力，中國存儲力量的崛起正成為影響全球存儲格局、決定行業(yè)發(fā)展走向的“勝負手”。

圖片來源：每經(jīng)媒資庫

巨頭最新發(fā)聲：庫存僅剩約4周

2月20日，SK海力士舉行虛擬投資者會議，向高盛透露了最新的數(shù)據(jù)及對產(chǎn)業(yè)趨勢的研判。

SK海力士表示，當(dāng)前公司DRAM及NAND整體庫存僅剩約4周，處于歷史極低水平，從谷歌、微軟等云廠商，到OpenAI等AI企業(yè)，再到消費電子終端廠商，所有客戶均無法獲得足額供應(yīng)，重復(fù)下單現(xiàn)象又進一步推高價格預(yù)期。

“今年沒有一家客戶的需求能夠完全得到滿足?！盨K海力士在會上強調(diào)，受AI真實需求爆發(fā)及潔凈室空間受限等供給剛性約束影響，2026年存儲芯片價格將持續(xù)上漲，漲勢貫穿全年已成定局。

為滿足AI帶動的高端存儲強勁需求，SK海力士將產(chǎn)能向HBM、DDR5等高附加值產(chǎn)品傾斜，這也帶動標準存儲產(chǎn)品的供求緊張及漲價預(yù)期。SK海力士透露，其2026年的HBM產(chǎn)能已提前售罄，標準型DRAM的極度短缺正大幅提升供應(yīng)商議價權(quán)，公司正與主要客戶討論多年期的長期合約，鎖定未來供應(yīng)與價格。

NAND的供應(yīng)同樣緊張。早在1月，鎧俠就表示，其2026年的NAND閃存產(chǎn)能已全部售罄，并預(yù)計NAND供應(yīng)緊張的局面將至少持續(xù)至2027年。

業(yè)績數(shù)據(jù)也印證了行業(yè)的高景氣度。SK海力士2025財年營業(yè)收入達97.15萬億韓元，營業(yè)利潤為47.21萬億韓元，利潤率高達49%，雙雙刷新歷史紀錄。其高業(yè)績增長，正是存儲價格持續(xù)上行與需求旺盛的直接體現(xiàn)。

超級景氣周期持續(xù)到何時

對于存儲供需失衡，SK海力士給出兩方面原因：一是AI大模型與高效能運算對存儲器的真實需求持續(xù)井噴，遠超產(chǎn)業(yè)預(yù)期；二是存儲芯片制造所依賴的無塵室空間擴張緩慢，產(chǎn)能爬坡受限，導(dǎo)致供給增長無法匹配需求增長。

事實上，自2025年第二季度起，全球存儲行業(yè)景氣度開始觸底反彈，閃迪打響NAND漲價第一槍后，三星、美光及長江存儲、兆易創(chuàng)新等存儲廠商（包括NAND、DRAM）紛紛跟進上調(diào)價格。

以SK海力士為例，其于2025年第三季度起對高端產(chǎn)品進行漲價，HBM3E報價上調(diào)15%至20%、DDR5 16Gb顆粒單月漲幅達102%；當(dāng)年11月起對全品類DRAM漲價、NAND閃存合約價同步上調(diào)10%至15%。2026年1月，SK海力士對全品類存儲再度大幅漲價，漲幅20%至60%不等。

“存儲芯片繼續(xù)漲價是板上釘釘?shù)氖?，今年可能會迎來價格最高點?！蹦硣a(chǎn)存儲芯片公司相關(guān)人士對記者表示，存儲價格上漲核心周期將持續(xù)至2026年底，產(chǎn)業(yè)高景氣度則至少延續(xù)至2027年；在AI帶動下，HBM賽道要到2028年初才可能迎來價格拐點。

平安證券電子團隊認為，當(dāng)前行業(yè)正面臨關(guān)鍵升級節(jié)點，海外CSP（云計算廠商）不斷加碼AI基礎(chǔ)設(shè)施建設(shè)，AI訓(xùn)練與推理規(guī)模擴大帶來絕對出貨量的增長；HBM、企業(yè)級SSD等高技術(shù)含量產(chǎn)品占比提升，拉高了平均售價?？紤]到當(dāng)前AI持續(xù)高景氣，本輪存儲周期的強度和持續(xù)性有望超過上一輪。

中國存儲崛起成“勝負手”

AI浪潮引發(fā)的全球存儲芯片供應(yīng)短缺，不僅引發(fā)產(chǎn)品持續(xù)漲價，還有望改變數(shù)十年來由美日韓廠商主導(dǎo)的全球供應(yīng)鏈格局。

據(jù)報道，由于消費級存儲芯片持續(xù)漲價、供應(yīng)緊張，為應(yīng)對成本壓力，個人電腦（PC）制造商惠普、戴爾、宏碁與華碩等，正考慮在其產(chǎn)品中采用中國芯片制造商生產(chǎn)的存儲芯片。

盡管存在著認證周期長及不確定性等因素，但這被行業(yè)視為一個積極信號，意味著中國存儲芯片廠商正迎來融入全球產(chǎn)業(yè)供應(yīng)鏈的難得機遇，將從“備選項”走向“可選項”。

經(jīng)過多年發(fā)展，中國存儲行業(yè)已經(jīng)形成以長鑫科技DRAM、長江存儲NAND Flash為大容量存儲芯片龍頭，以東芯股份利基型存儲、北京君正SRAM（靜態(tài)隨機存取存儲器）存儲、兆易創(chuàng)新及普冉股份等中小容量閃存為補充的產(chǎn)業(yè)格局。

業(yè)界普遍預(yù)測，在資本市場的加持下，中國存儲芯片產(chǎn)能有望在2026年下半年至2027年逐步釋放，屆時將有效緩解全球存儲供給緊張局面，推動存儲價格趨穩(wěn)甚至回落，成為本輪全球存儲芯片漲價潮的“勝負手”。

值得關(guān)注的是，在預(yù)先審閱后，長鑫科技科創(chuàng)板IPO申請已于2025年12月30日獲得受理，公司計劃募資295億元，以滿足公司在DRAM行業(yè)進一步提升核心競爭力的需要。這將進一步助力中國存儲產(chǎn)業(yè)崛起。

（作者 李興彩）

封面圖片來源：每經(jīng)媒資庫