每經(jīng)編輯｜金冥羽    

當(dāng)?shù)貢r間1月6日，美股存儲板塊狂飆，截至發(fā)稿，閃迪（SanDisk）大漲24%，為十個月以來的最大日內(nèi)漲幅，美光科技漲近7%，再創(chuàng)歷史新高。希捷科技、西部數(shù)據(jù)漲近10%。

消息面上，據(jù)韓國經(jīng)濟(jì)日報(bào)，三星與海力士已向服務(wù)器、PC及智能手機(jī)用DRAM客戶提出漲價，今年一季度報(bào)價將較去年第四季度上漲60%-70%。

一位半導(dǎo)體行業(yè)人士表示：“客戶也清楚，三星和SK在短期內(nèi)很難迅速提升產(chǎn)能?！币虼藰I(yè)內(nèi)預(yù)計(jì)，即便是這么大的漲幅，客戶也會接受。

“大型客戶認(rèn)為他們完全可以承受AI基礎(chǔ)設(shè)施所需的支出。他們不太可能強(qiáng)烈反對DRAM價格上漲，因?yàn)樵谶@些公司看來，實(shí)現(xiàn)基于推理的AI盈利更為重要?！笔袌鲅芯抗綝RAMeXchange如此分析，并將今年第一季度服務(wù)器用DRAM固定交易價格的漲幅預(yù)期上調(diào)至60%至65%。

存儲龍頭大幅漲價的底氣，正來自對服務(wù)器DRAM短缺問題日益嚴(yán)重的預(yù)期。

眼下，內(nèi)存廠商正集中精力生產(chǎn)HBM3E，導(dǎo)致服務(wù)器DRAM產(chǎn)能遭受積壓，供需鴻溝逐漸拉大。同時谷歌和微軟等公司正在拓展基于推理的AI服務(wù)業(yè)務(wù)，推動服務(wù)器通用DRAM需求激增；正在為客戶開發(fā)ASIC的博通，也在增加HBM3E訂單，進(jìn)一步加劇DRAM短缺。

在這種情況下，存儲的漲價趨勢或?qū)⒇灤┱麄€2026年。已有多家投行預(yù)測，按全年口徑計(jì)算，今年服務(wù)器DRAM的平均銷售價格（ASP）最高將同比上漲144%，并相應(yīng)上調(diào)了業(yè)績預(yù)期。花旗預(yù)計(jì)，三星電子今年?duì)I業(yè)利潤將達(dá)155萬億韓元，較去年增長253%；摩根士丹利則預(yù)計(jì)，SK海力士今年?duì)I業(yè)利潤為148萬億韓元，較去年激增224%。

中信建投證券電子首席分析師劉雙鋒認(rèn)為，在數(shù)據(jù)中心需求爆發(fā)、存儲芯片供應(yīng)持續(xù)趨緊，價格大幅上漲的背景下，美光交出一份明顯強(qiáng)于預(yù)期的FY26Q1財(cái)報(bào)，并給出強(qiáng)勁的第二財(cái)季指引。預(yù)計(jì)存儲芯片供應(yīng)短缺將在2026年持續(xù)并維持更久，美光為代表的存儲IDM廠商將大為受益。

值得一提的是，今日晚間，話題“一盒內(nèi)存條堪比上海一套房”登上熱搜第二名，引發(fā)網(wǎng)友熱議。

據(jù)21財(cái)經(jīng)援引時代周報(bào)報(bào)道，全球DRAM（內(nèi)存）市場正經(jīng)歷一輪“史上最強(qiáng)”的漲價周期。自2025年7月以來，DRAM價格持續(xù)快速上行，多數(shù)品類漲幅超過100%。

PCPartPicker數(shù)據(jù)顯示，DDR4（內(nèi)存）與DDR5（內(nèi)存）年內(nèi)已漲價2—3倍。行業(yè)人士表示：“內(nèi)存幾乎一天一個價，256G的DDR5服務(wù)器內(nèi)存單條價格已超4萬元。如果一次采購一盒100根就是400萬，價值已超過上海不少房產(chǎn)?！?

（免責(zé)聲明：本文內(nèi)容與數(shù)據(jù)僅供參考，不構(gòu)成投資建議，使用前核實(shí)。據(jù)此操作，風(fēng)險(xiǎn)自擔(dān)。）

編輯|金冥羽 杜恒峰

校對|程鵬

封面圖片來源：視覺中國

每日經(jīng)濟(jì)新聞綜合自財(cái)聯(lián)社、21財(cái)經(jīng)、時代周報(bào)、公開資料